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我司原廠（ESDEMC）為其ES640系統(tǒng)推出了JS002測(cè)試選項(xiàng)的更新，添加了帶有新設(shè)計(jì)的放電探針的晶圓級(jí)版本。該增強(qiáng)功能支持對(duì)焊盤尺寸小至50μm的器件進(jìn)行CDM（帶電器件模型）測(cè)試，滿足先進(jìn)半導(dǎo)體制造的需求。自2020年發(fā)布以來(lái)，ES640已支持用戶可更換的250μm彈簧探針，其彈簧加載設(shè)計(jì)也有助于降低測(cè)試過(guò)程中焊盤損壞的風(fēng)險(xiǎn)。2023年，針對(duì)特定客戶需求推出了120μm選項(xiàng)。新型晶圓級(jí)探針采用特殊材料和精密加工生產(chǎn)，可在小焊盤上實(shí)現(xiàn)精確接觸，同時(shí)在500V下保持符合J...

近期我司原廠（ESDEMCTechnologyLLC）推出新的TLP脈沖模塊產(chǎn)品，定義為獨(dú)立的20ps上升時(shí)間脈沖模塊。該模塊可提供上升時(shí)間為30ps(10–90%)和20ps(20–80%)的高速傳輸線矩形脈沖，從而能夠精確評(píng)估先進(jìn)的半導(dǎo)體器件。示波器波形測(cè)量示例如下所示。高速脈沖性能20ps上升時(shí)間TLP脈沖模塊具有50Ω輸出阻抗。默認(rèn)配置提供500ps脈沖寬度，而其他寬度可根據(jù)要求定制，以滿足特定的測(cè)試要求。憑借其超快的邊緣性能，該模塊非常適合電容耦合傳輸線脈沖(CC-...

在醫(yī)療設(shè)備、航空航天、半導(dǎo)體制造等高精度領(lǐng)域，精密儀器的穩(wěn)定運(yùn)行直接關(guān)系到生產(chǎn)安全與數(shù)據(jù)可靠性。然而，復(fù)雜的電磁環(huán)境(如射頻設(shè)備輻射、電力線路噪聲、靜電放電)可能引發(fā)儀器誤動(dòng)作、數(shù)據(jù)丟失甚至硬件損壞。電磁干擾掃描儀(EMIScanner)作為電磁兼容性(EMC)問(wèn)題的“檢測(cè)哨兵”，通過(guò)精準(zhǔn)定位與量化干擾源，為精密儀器的穩(wěn)定運(yùn)行提供了關(guān)鍵保障。一、精準(zhǔn)定位干擾源：從“模糊排查”到“可視化定位”精密儀器的電磁干擾問(wèn)題往往具有隱蔽性——干擾信號(hào)可能來(lái)自鄰近設(shè)備的射頻發(fā)射(如Wi-F...

在現(xiàn)代電子行業(yè)中，靜電放電（ESD）對(duì)芯片的影響日益顯著，因此，芯片靜電測(cè)試設(shè)備成為了確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的重要工具。然而，在實(shí)際使用過(guò)程中，操作不當(dāng)或理解誤區(qū)可能導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確或設(shè)備損壞。本文將探討芯片靜電測(cè)試設(shè)備常見的誤區(qū)，并提出正確的操作方法。常見誤區(qū)1.忽視設(shè)備的接地問(wèn)題在芯片靜電測(cè)試過(guò)程中，設(shè)備的接地是至關(guān)重要的。許多操作人員忽視了接地線的連接，導(dǎo)致靜電無(wú)法及時(shí)釋放，從而影響測(cè)試精度，甚至可能損壞設(shè)備。靜電測(cè)試設(shè)備在使用前必須確保所有部件都正確接地，以避免測(cè)試過(guò)...

靜電放電（ESD）發(fā)生器是用于模擬和研究電子設(shè)備在實(shí)際工作環(huán)境中可能遭遇的靜電放電效應(yīng)的設(shè)備。隨著電子產(chǎn)品的不斷小型化和高集成度，靜電放電對(duì)設(shè)備造成的損害日益顯著，因此，靜電放電發(fā)生器的安全性評(píng)估與防護(hù)技術(shù)顯得尤為重要。一、靜電放電發(fā)生器的安全性評(píng)估1.危害分析：靜電放電的危害主要體現(xiàn)在對(duì)電子元器件的損壞、數(shù)據(jù)丟失以及系統(tǒng)功能故障。尤其是對(duì)于集成電路、微處理器等元器件，靜電放電可能導(dǎo)致瞬時(shí)高電壓，進(jìn)而產(chǎn)生燒毀、漏電或性能下降等問(wèn)題。安全性評(píng)估首先需要考慮這些潛在的電氣危害。2...

TLP傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)是一種高級(jí)的電力半導(dǎo)體器件瞬態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)，主要用于研究高壓大電流下的功率器件，如IGBT、MOSFET等的動(dòng)態(tài)行為。這種系統(tǒng)能夠產(chǎn)生高電壓、短上升時(shí)間和高重復(fù)頻率的脈沖，模擬實(shí)際工作條件下的瞬態(tài)應(yīng)力，幫助工程師深入了解器件的開關(guān)特性和耐壓極限。TLP傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)的校準(zhǔn)是為了保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，涉及到多個(gè)方面，包括但不限于脈沖發(fā)生器的校準(zhǔn)、探測(cè)器的校準(zhǔn)以及整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的整體性能校驗(yàn)。以下是一般的校準(zhǔn)步驟和方法：一、脈沖發(fā)生器校準(zhǔn)1.幅度校準(zhǔn)：使...

CDM充電器件模型測(cè)試儀主要用于評(píng)估電子元件對(duì)靜電放電（ESD）的敏感度，特別是對(duì)于集成電路芯片，其重要性不可小覷。正確的使用方法不僅能確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，還能延長(zhǎng)測(cè)試儀的使用壽命，降低維護(hù)成本。下面是一些關(guān)于如何正確使用CDM充電器件模型測(cè)試儀的關(guān)鍵步驟和建議：1、設(shè)備準(zhǔn)備與檢查-閱讀手冊(cè)：首先，仔細(xì)閱讀設(shè)備的用戶手冊(cè)，理解每個(gè)功能鍵和指示燈的意義，掌握基本操作流程。-環(huán)境確認(rèn)：確保測(cè)試區(qū)域無(wú)塵、干燥，并且遠(yuǎn)離其他可能干擾測(cè)試結(jié)果的電磁設(shè)備。-接地：連接良好的接地...

晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀通常采用以下幾種主要的ESD（靜電放電）模型進(jìn)行測(cè)試，以全面評(píng)估半導(dǎo)體器件在不同靜電放電條件下的性能和耐受能力：1、人體模型（HBM）：這是常見的ESD測(cè)試模型之一，模擬了當(dāng)帶電的人體接觸半導(dǎo)體器件時(shí)發(fā)生的靜電放電。HBM通常使用100pF的電容和1.5kΩ的電阻來(lái)模擬人體的電容和電阻特性。測(cè)試時(shí)，電容通過(guò)電阻放電至半導(dǎo)體器件，以此來(lái)評(píng)估器件的耐受能力。2、機(jī)器模型（MM）：機(jī)器模型模擬了當(dāng)帶電的機(jī)器或設(shè)備接觸半導(dǎo)體器件時(shí)發(fā)生的靜電放電。與HBM相比，MM的...

根據(jù)大數(shù)據(jù)分析，所有商品人均預(yù)期壽命，三路可編程直流電源也是如此。影響使用時(shí)間的因素很多，但在我們使用時(shí)，適當(dāng)?shù)木S護(hù)可以降低穩(wěn)壓電源的使用壽命?？删幊讨绷麟娫吹氖褂脡勖Q于內(nèi)部元件和內(nèi)部元件PCB使用壽命及整個(gè)焊接安裝過(guò)程。確?？删幊讨绷麟娫丛膮?shù)選擇，確保整個(gè)焊接和安裝在生產(chǎn)中的一致性和可執(zhí)行性，確保了可編程直流電源和可靠性。如何維護(hù)三路可編程直流電源？確?？删幊讨绷麟娫磯勖闹匾h(huán)節(jié)：1、在應(yīng)用可編程直流電源時(shí)，應(yīng)盡量降低故障發(fā)生的概率，以保證可編程直流電源的長(zhǎng)期穩(wěn)...

HBM測(cè)試儀在對(duì)員工測(cè)試的時(shí)候給出一個(gè)識(shí)別信號(hào)到靜電控制器機(jī)，經(jīng)刷卡系統(tǒng)處理后，靜電控制器在給出一個(gè)控制信號(hào)到三閘門用于員工進(jìn)入。（先刷卡—核實(shí)卡類及身份—執(zhí)行靜電檢測(cè)—檢測(cè)信號(hào)上傳—門禁給出通行或禁行指示—電腦資料保存）HBM測(cè)試儀操作流程：1、準(zhǔn)備測(cè)試工作：測(cè)試員工雙腳必須站在腳踏板(上)準(zhǔn)備檢測(cè)測(cè)試項(xiàng)，雙腳必須站在腳印中間2、如需測(cè)試防靜電手腕帶，請(qǐng)插入測(cè)試儀上手腕帶測(cè)試孔。3、將身上配帶的ID（IC）卡靠近刷卡設(shè)備，靜電控制器自動(dòng)讀取卡上的信息資料4把手指觸摸在測(cè)試按...